VSSAF3N50-M3/6B
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF3N50-M3/6B
| Artikelnummer: | VSSAF3N50-M3/6B |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 50V 2.7A DO221AC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 14000+ | $0.1394 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF3N50-M3/6B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VSSAF3N50-M3/6B.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 400 mV @ 1.5 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 50 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse DO-221AC (SlimSMA) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie TMBS®, SlimSMA™ Verpackung / Gehäuse DO-221AC, SMA Flat Leads Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 50 V Strom - Richt (Io) 2.7A Kapazität @ Vr, F 570pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer SAF3N50 VSSAF3N50-M3/6B Einzelheiten PDF [English] VSSAF3N50-M3/6B PDF - EN.pdf -
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